半導體集成度逐漸提升，ArF、EUV光刻膠成未來發(fā)展趨勢

        高端光刻膠市場需求成長性顯著，國產(chǎn)化程度較低。半導體光刻膠隨著市場對半導體產(chǎn)品小型化、功能多樣化的要求，而不斷通過縮短曝光波長提高極限分辨率，從而達到集成電路更高密度的集積。隨著 IC 集成度的提高，世界集成電路的制程工藝水平按已由微米級、亞微米級、深亞微米級進入到納米級階段。為適應集成電路線寬不斷縮小的要求，光刻機的波長由紫外寬譜向ｇ線(436nm)→ｉ線(365nm) →KrF(248nm)→ArF(193nm)→F2、EUV（157nm）的方向轉移。

          ArF、EUV光刻膠疊加分辨率提升技術、多次圖形技術不斷推進工藝節(jié)點進步， 為光刻膠技術未來發(fā)展主要趨勢。對應不同的光刻技術需要配套相應分辨率的光刻膠，目前半導體市場上主要使用的光刻膠包括g線、i線、KrF、ArF四類光刻膠。同時伴隨著下游晶圓代工廠商不斷布局先進工藝節(jié)點，由于正性（濕）ArF光刻膠結合分辨率增強技術可用于32nm/28nm工藝，采用多次圖形技術，可以實現(xiàn)20 /14nm工藝（線寬均勻度（LWR）<2.5nm）,而EUV光刻膠搭配EUV光刻機成為下一代光刻技術的未來主流選擇，預計未來7nm、3nm等先進節(jié)點將應用EUV光刻膠。因此未來伴隨著工藝的進步對于ArF、EUV類型 的光刻膠需求將會進一步提升。

           短期大基金一期投資晶圓代工企業(yè)進入收效期，國內(nèi)微電子化學產(chǎn)品伴隨晶圓代工產(chǎn)能提升需求旺盛。在《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推動綱要》的推動下，2014年國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（簡稱“大基金”）正式成立，2015年大基金全產(chǎn)業(yè)鏈投資扶持我國集成電路產(chǎn)業(yè)，投資領域資金占比以半導體晶圓代工企業(yè)為主，國內(nèi)晶圓代工企業(yè)建廠投資額快速提升。同時在降低關稅、低人力成本，靠近旺盛大陸客戶的需求下，外資企業(yè)也不斷向大陸建設晶圓代工廠，推動我國晶圓代工的上游半導體設備、微電子化學品需求快速提升。

         行業(yè)內(nèi)晶圓廠從動工到量產(chǎn)通常需要1年半到2年時間，設備采購在投產(chǎn)前1年左右開始，且大部分采購在投產(chǎn)前后一年完成。而微電子化學品則不同，光刻膠等微電子化學品直接用于實際生產(chǎn)過程中，同時由于采購相對迅速，因此相比于半導體設備市場空間打開相對滯后一年，預計2019-2020年為國內(nèi)微電子化學品快速成長的高峰期。

         長期政策推動力持續(xù)，帶動我國晶圓代工產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展。根據(jù)《中國制造2025重點領域技術創(chuàng)新綠皮書》預計，中國集成電路的本地產(chǎn)值在2020年預計達到 851 億美元，滿足國內(nèi)49%的市場需求；2030年預計達到1,837億美元，滿足國內(nèi)75% 的市場需求，預計年復合增長率約為6.6%。同時參考日韓之間半導體核心原材料的貿(mào)易沖突，微電子化學品行業(yè)作為集成電路制造的重要配套行業(yè)，自主可控戰(zhàn)略意義明顯，也將隨著集成電路制造國產(chǎn)化的政策和資金支持，獲得新的發(fā)展機遇。國內(nèi)內(nèi)資晶圓代工廠商也將不斷提升對于國產(chǎn)光刻膠的接受程度，給予國內(nèi)優(yōu)質的光刻膠廠商快速成長的機會。

      旺盛需求下是國內(nèi)長期依賴進口的行業(yè)現(xiàn)狀，根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，全球區(qū)域市場來看，中國半導體光刻膠市場規(guī)模全球占比最大，高達32 %，市場需求旺盛。但是半導體光刻膠相比PCB光刻膠在分辨率，對比度、敏感度、粘滯性/粘附性、抗蝕方面均相比PCB光刻膠要求更高，目前我國已經(jīng)在PCB重要類別濕膜及阻焊油墨進行了相當比例的國產(chǎn)化進度，但由于半導體光刻膠技術壁壘較高，目前國內(nèi)僅在適用于6英寸的g線/i線光刻膠領具備一定國產(chǎn)替代能力，適用于8英寸硅片的KrF光刻膠，12英寸硅片的ArF光刻膠幾乎依靠進口。

      半導體光刻膠的供應廠商主要集中在美國和日本。主要企業(yè)有日本的TOK、日本JSR、富士膠片、信越化學、住友化學，美國陶氏化學等。

根據(jù)新材料在線數(shù)據(jù)顯示，目前全球光刻膠前二廠商（日本合成橡膠和東京日化）市占率可達49%，其中以日本合成橡膠（JSR株式會社）市占率水平最高，高達28%。JSR半導體材料品類多樣，包括光刻材料、CMP研磨材料和封裝材料，2018年半導體材料實現(xiàn)營收753.8億日元（2019年業(yè)務分類發(fā)生口徑變化，未細拆出半導體材料營收情況）。

       光刻膠具備較高的技術壁壘和客戶壁壘，因此行業(yè)整體集中度情況較高，前五市占率總和高達77%。中國的光刻膠供應廠商主要有北京科華微電子、蘇州瑞紅，南大光電等，國內(nèi)相關廠商技術追趕迅速，預計伴隨KrF光刻膠、ArF光刻膠研發(fā)完畢順利完成客戶驗證后， 國產(chǎn)光刻膠將進入國產(chǎn)替代的高峰期。

      晶瑞股份是國內(nèi)知名的生產(chǎn)銷售微電子業(yè)用超純化學材料和其他精細化工產(chǎn)品的上市企業(yè)，子公司蘇州瑞紅承擔并完成了國家02重大專項“i線光刻膠產(chǎn)品開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目，i線光刻膠已向中芯國際、揚杰科技、福順微電子等客戶供貨，KrF（248nm深紫外）光刻膠完成中試，產(chǎn)品分辨率達到了0.25~0.13μm的技術要求，建成了中試示范線。公司在i線光刻機規(guī)模優(yōu)勢以及技術優(yōu)勢得到認可，產(chǎn)能利用率較高且相對穩(wěn)定，2019年8月公司獲批發(fā)行人民幣1.85億元可轉債，其中1.39億元用于新建年產(chǎn)8.7萬噸光電顯示、半導體用新材料項目，有望進一步提升公司半導體相關材料產(chǎn)能。

     大光電積極布局高端ArF光刻膠技術，其自主創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化的193nm 光刻膠項目已獲得國家02專項“193nm 光刻膠及配套材料關鍵技術研究項目”和“ArF光刻膠開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目”的正式立項，先后共獲得中央財政補貼1.51億元，地方配套0.50億元。目前“193nm 光刻膠及配套材料關鍵技術研究項目”的研發(fā)工作已經(jīng)完成，正在等待驗收。同時南大光電設立光刻膠事業(yè)部，并成立了全資子公司“寧波南大光電材料有限公司”，全力推進“ ArF光刻膠開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項目”的落地實施。預計2019年底在寧波建成一條光刻膠生產(chǎn)線，項目產(chǎn)業(yè)化基地建設工作進展順利。